. 电子温度对SiGeHBT基区渡越时间的影响[J]. 重庆理工大学学报（自然科学）, 2009, 23(12): -.

0

    /   /   推荐

导出引用管理器 EndNote|Reference Manager|ProCite|BibTeX|RefWorks

链接本文: http://clgzk.qks.cqut.edu.cn/CN/

               http://clgzk.qks.cqut.edu.cn/CN/Y2009/V23/I12/