重庆理工大学学报（自然科学） ›› 2021, Vol. 35 ›› Issue (5): 163-169.doi: 10.3969/j.issn.1674-8425(z).2021.05.022
刘培培１，文剑豪１，魏进希１，王冠宇１，周春宇２
摘要： 为了提高器件的频率特性，设计了一种表面覆盖氮化物（Ｓｉ３Ｎ４）应力膜的应变硅 ＳＯＩＳｉＧｅ异质结双极晶体管结构，通过在器件结构的最上层淀积一层 Ｓｉ３Ｎ４，使其在基区引入单 轴压应力，增强载流子的迁移率，来提高器件的截止频率 ｆＴ 和最高振荡频率 ｆｍａｘ。采用 ＳＩＬＶＡ ＣＯ软件进行仿真，重点研究不同埋氧化层厚度和氮化膜对器件频率特性的影响。结果表明：在 埋氧化层厚度为 １９０ｎｍ，基区 Ｇｅ组分为 １７％～３０％的阶梯型分布且淀积 Ｓｉ３Ｎ４ 薄膜引入应力 时，截止频率 ｆＴ约为 ６３８ＧＨｚ，最高振荡频率 ｆｍａｘ约为 ７９５ＧＨｚ。与传统的 ＳＯＩＳｉＧｅＨＢＴ相比， 截止频率 ｆＴ提高了 ３８ＧＨｚ，最高振荡频率 ｆｍａｘ提高了 ４４ＧＨｚ。
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